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Infineon Technologies IRLML6402GTRPBF

Name: IRLML6402GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML6402GTRPBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (115 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLML6402GTRPBF

quantité disponible: 34930 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLML6402GTRPBF.pdf

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IRLML6402GTRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRLML6402GTRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRLML6402GTRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLML6402GTRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	633pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Micro3™/SOT-23
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML6402GTRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLML6402GTRPBF-FT

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