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Infineon Technologies IRLML6401TRPBF

Name: IRLML6401TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML6401TRPBF
Price: 0.10716 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (437 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLML6401TRPBF

quantité disponible: 18750 Pièces

Prix de référence: USD 0.10716

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLML6401TRPBF.pdf

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IRLML6401TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRLML6401TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRLML6401TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLML6401TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Micro3™/SOT-23
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML6401TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLML6401TRPBF-FT

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