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Référence fabricant | IRL40S212 |
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Numéro de pièce future | FT-IRL40S212 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | StrongIRFET™ |
IRL40S212 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 195A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8320pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 231W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL40S212 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRL40S212-FT |
IRL2703STRLPBF
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
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