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Référence fabricant | IRL3102S |
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Numéro de pièce future | FT-IRL3102S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRL3102S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 61A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 37A, 7V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL3102S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRL3102S-FT |
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5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
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