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Infineon Technologies IRG8P50N120KD-EPBF

Name: IRG8P50N120KD-EPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRG8P50N120KD-EPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (61 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRG8P50N120KD-EPBF

quantité disponible: 15350 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: - IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRG8P50N120KD-EPBF.pdf

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IRG8P50N120KD-EPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRG8P50N120KD-EPBF
Numéro de pièce future	FT-IRG8P50N120KD-EPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IRG8P50N120KD-EPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type IGBT	-
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	80A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 35A
Puissance - Max	350W
Énergie de commutation	2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	315nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	35ns/190ns
Condition de test	600V, 35A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	170ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur	TO-247AD
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRG8P50N120KD-EPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRG8P50N120KD-EPBF-FT

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