maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXYP10N65C3D1M
Référence fabricant | IXYP10N65C3D1M |
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Numéro de pièce future | FT-IXYP10N65C3D1M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | XPT™, GenX3™ |
IXYP10N65C3D1M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 50A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A |
Puissance - Max | 53W |
Énergie de commutation | 240µJ (on), 170µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 18nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 20ns/77ns |
Condition de test | 400V, 10A, 50 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 26ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYP10N65C3D1M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXYP10N65C3D1M-FT |
IXA20I1200PB
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IXBP5N160G
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IXDP20N60B
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A54SX32-1TQ144
Microsemi Corporation
XC3S1000-5FGG320C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672C8AA
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Xilinx Inc.
EP2S130F780C4
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