maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IRG5U50HH12E
Référence fabricant | IRG5U50HH12E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRG5U50HH12E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRG5U50HH12E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 85A |
Puissance - Max | 390W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | POWIR ECO 2™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | POWIR ECO 2™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG5U50HH12E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRG5U50HH12E-FT |
FZ1600R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FZ1600R17KF6CB2S2NOSA1
Infineon Technologies
FZ1800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FZ2400R12HE4PB9HPSA1
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17HE4PB9HPSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B29BOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17KF6CB2S1NOSA1
Infineon Technologies
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K60EFC144-1X
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XCV150-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F31C4N
Intel
EP20K200EQI240-2N
Intel
EPF10K50VQC240-2N
Intel