maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IRG5U50HH12E
Référence fabricant | IRG5U50HH12E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRG5U50HH12E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRG5U50HH12E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 85A |
Puissance - Max | 390W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | POWIR ECO 2™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | POWIR ECO 2™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG5U50HH12E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRG5U50HH12E-FT |
FZ1600R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FZ1600R17KF6CB2S2NOSA1
Infineon Technologies
FZ1800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FZ2400R12HE4PB9HPSA1
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17HE4PB9HPSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B29BOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1
Infineon Technologies
FZ2400R17KF6CB2S1NOSA1
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel