maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFZ48NSTRRPBF
Référence fabricant | IRFZ48NSTRRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFZ48NSTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFZ48NSTRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 64A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 130W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ48NSTRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFZ48NSTRRPBF-FT |
IRFS3507
Infineon Technologies
IRFS3507TRLPBF
Infineon Technologies
IRFS3607PBF
Infineon Technologies
IRFS3806PBF
Infineon Technologies
IRFS38N20DPBF
Infineon Technologies
IRFS38N20DTRRP
Infineon Technologies
IRFS4010PBF
Infineon Technologies
IRFS4010TRLPBF
Infineon Technologies
IRFS4010TRRPBF
Infineon Technologies
IRFS4020PBF
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel