maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFS38N20DTRRP
Référence fabricant | IRFS38N20DTRRP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFS38N20DTRRP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFS38N20DTRRP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 43A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS38N20DTRRP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFS38N20DTRRP-FT |
IRF4104S
Infineon Technologies
IRF4905STRR
Infineon Technologies
IRF4905STRRPBF
Infineon Technologies
IRF520NS
Infineon Technologies
IRF520NSPBF
Infineon Technologies
IRF520NSTRL
Infineon Technologies
IRF520NSTRR
Infineon Technologies
IRF520NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF5210SPBF
Infineon Technologies
IRF5210STRLPBF
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel