maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFU4510PBF
Référence fabricant | IRFU4510PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFU4510PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFU4510PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 56A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3031pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 143W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU4510PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFU4510PBF-FT |
IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN65R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
IPN70R1K2P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
IPN70R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R900P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel