maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFSL3307ZPBF
Référence fabricant | IRFSL3307ZPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFSL3307ZPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFSL3307ZPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 230W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFSL3307ZPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFSL3307ZPBF-FT |
IPI90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
IPI90R800C3
Infineon Technologies
IRF1010EL
Infineon Technologies
IRF1010EZL
Infineon Technologies
IRF1010EZLPBF
Infineon Technologies
IRF1010NL
Infineon Technologies
IRF1010NLPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZL
Infineon Technologies
IRF1010ZLPBF
Infineon Technologies
IRF1018ESLPBF
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel