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Infineon Technologies IRF1010NLPBF

Numéro de pièce MFG
IRF1010NLPBF
quantité disponible
59410 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRF1010NLPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF1010NLPBF
Numéro de pièce future FT-IRF1010NLPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF1010NLPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3210pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-262
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1010NLPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF1010NLPBF-FT

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