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Référence fabricant | IRFR120ZTRLPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR120ZTRLPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR120ZTRLPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 35W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR120ZTRLPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR120ZTRLPBF-FT |
GP1M003A080CH
Global Power Technologies Group
GP1M003A090C
Global Power Technologies Group
GP1M005A040CG
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GP1M005A050CH
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GP1M008A025CG
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GP1M008A050CG
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GP1M009A020CG
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GP1M016A025CG
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LFXP6E-3TN144C
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EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
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