maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GP1M003A090C
Référence fabricant | GP1M003A090C |
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Numéro de pièce future | FT-GP1M003A090C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP1M003A090C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 94W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M003A090C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP1M003A090C-FT |
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5SGXEA3K1F35I2N
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XC4020E-3HQ208I
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XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
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