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Référence fabricant | IRFR120NCTRLPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFR120NCTRLPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFR120NCTRLPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 48W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR120NCTRLPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFR120NCTRLPBF-FT |
FQD8P10TM_F080
ON Semiconductor
FQD8P10TM_SB82052
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FQD9N08TM
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GP1M003A050CG
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GP1M003A080CH
Global Power Technologies Group
GP1M003A090C
Global Power Technologies Group
GP1M005A040CG
Global Power Technologies Group
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
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XC5VLX30-1FF676I
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AGL600V2-FG144
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LCMXO2-7000HC-6BG256C
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LFXP2-8E-5MN132C
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5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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