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Infineon Technologies IRFP4227PBF

Numéro de pièce MFG
IRFP4227PBF
quantité disponible
55970 Pièces
Prix de référence
USD 3.952
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFP4227PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFP4227PBF
Numéro de pièce future FT-IRFP4227PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFP4227PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247AC
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFP4227PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFP4227PBF-FT

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