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Infineon Technologies SPD100N03S2L04T

Name: SPD100N03S2L04T
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD100N03S2L04T
Availability: InStock
Rating: 4.6 (354 reviews)

Numéro de pièce MFG: SPD100N03S2L04T

quantité disponible: 18760 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 100A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SPD100N03S2L04T.pdf

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SPD100N03S2L04T Caractéristiques

Référence fabricant	SPD100N03S2L04T
Numéro de pièce future	FT-SPD100N03S2L04T
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
SPD100N03S2L04T Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	89.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3320pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO252-5
Paquet / caisse	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPD100N03S2L04T Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SPD100N03S2L04T-FT

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