maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFP150N
Référence fabricant | IRFP150N |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFP150N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFP150N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 42A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP150N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFP150N-FT |
IPD60R2K0C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K1CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R400CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R460CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPD60R800CEATMA1
Infineon Technologies
IPD70P04P4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD75N04S406ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD85P04P407ATMA1
Infineon Technologies
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation