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ON Semiconductor IRFM220BTF_FP001

Numéro de pièce MFG
IRFM220BTF_FP001
quantité disponible
81080 Pièces
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFM220BTF_FP001.pdf
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IRFM220BTF_FP001 Caractéristiques

Référence fabricant IRFM220BTF_FP001
Numéro de pièce future FT-IRFM220BTF_FP001
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFM220BTF_FP001 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 570mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223-4
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFM220BTF_FP001 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFM220BTF_FP001-FT

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