maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFI740G
Référence fabricant | IRFI740G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFI740G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFI740G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 400V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI740G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFI740G-FT |
TK6A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IPA50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
TK20A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ304(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ380(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation