maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFI644G
Référence fabricant | IRFI644G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFI644G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFI644G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI644G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFI644G-FT |
IRFIB7N50APBF
Vishay Siliconix
IRFIBC40GLCPBF
Vishay Siliconix
IRFIZ44GPBF
Vishay Siliconix
IRLI520GPBF
Vishay Siliconix
TK46A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IPA50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
TK20A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ304(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel