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Infineon Technologies IRFHS9351TR2PBF

Name: IRFHS9351TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHS9351TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (531 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFHS9351TR2PBF

quantité disponible: 88250 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFHS9351TR2PBF.pdf

IRFHS9351TR2PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFHS9351TR2PBF
Numéro de pièce future	FT-IRFHS9351TR2PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFHS9351TR2PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Puissance - Max	1.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	6-PQFN Dual (2x2)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHS9351TR2PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFHS9351TR2PBF-FT

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