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Infineon Technologies IRFHS9351TR2PBF
- Numéro de pièce MFG
- IRFHS9351TR2PBF
- quantité disponible
- 88250 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- HEXFET® MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IRFHS9351TR2PBF.pdf
IRFHS9351TR2PBF Caractéristiques
| Référence fabricant | IRFHS9351TR2PBF |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IRFHS9351TR2PBF |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | HEXFET® |
| IRFHS9351TR2PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Puissance - Max | 1.4W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-PowerVDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | 6-PQFN Dual (2x2) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFHS9351TR2PBF Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IRFHS9351TR2PBF-FT |
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