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Infineon Technologies IRFHM9331TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRFHM9331TRPBF
quantité disponible
88980 Pièces
Prix de référence
USD 0.245632
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFHM9331TRPBF.pdf
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IRFHM9331TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFHM9331TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRFHM9331TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFHM9331TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 11A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1543pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PQFN (3x3)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM9331TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFHM9331TRPBF-FT

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