maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFHM9331TRPBF
Référence fabricant | IRFHM9331TRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFHM9331TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFHM9331TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta), 24A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 11A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1543pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PQFN (3x3) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM9331TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFHM9331TRPBF-FT |
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies
BSC252N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC265N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC320N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC350N20NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC360N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC500N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel