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Infineon Technologies BSC350N20NSFDATMA1

Numéro de pièce MFG
BSC350N20NSFDATMA1
quantité disponible
15820 Pièces
Prix de référence
USD 1.102816
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 35A 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSC350N20NSFDATMA1.pdf
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BSC350N20NSFDATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSC350N20NSFDATMA1
Numéro de pièce future FT-BSC350N20NSFDATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSC350N20NSFDATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC350N20NSFDATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSC350N20NSFDATMA1-FT

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