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Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF

Name: IRFHM8337TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8337TRPBF
Price: 0.2232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (347 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFHM8337TRPBF

quantité disponible: 96700 Pièces

Prix de référence: USD 0.2232

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFHM8337TRPBF.pdf

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IRFHM8337TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFHM8337TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFHM8337TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFHM8337TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	755pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8337TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFHM8337TRPBF-FT

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