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Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF

Numéro de pièce MFG
IRFHM792TR2PBF
quantité disponible
43080 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFHM792TR2PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFHM792TR2PBF
Numéro de pièce future FT-IRFHM792TR2PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFHM792TR2PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V
Puissance - Max 2.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM792TR2PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFHM792TR2PBF-FT

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