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Infineon Technologies IRF9Z34NSTRRPBF

Name: IRF9Z34NSTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRRPBF
Price: 0.52048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (428 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF9Z34NSTRRPBF

quantité disponible: 10110 Pièces

Prix de référence: USD 0.52048

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF9Z34NSTRRPBF.pdf

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IRF9Z34NSTRRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF9Z34NSTRRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF9Z34NSTRRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF9Z34NSTRRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9Z34NSTRRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF9Z34NSTRRPBF-FT

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