maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF3709ZCS
Référence fabricant | IRF3709ZCS |
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Numéro de pièce future | FT-IRF3709ZCS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF3709ZCS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 87A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 79W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3709ZCS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF3709ZCS-FT |
IRF1405ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF1405ZSTRRPBF
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IRF1407S
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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