maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF9Z24NSTRL
Référence fabricant | IRF9Z24NSTRL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF9Z24NSTRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF9Z24NSTRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9Z24NSTRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF9Z24NSTRL-FT |
IRF3708STRR
Infineon Technologies
IRF3708STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3709S
Infineon Technologies
IRF3709STRL
Infineon Technologies
IRF3709STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3709STRR
Infineon Technologies
IRF3709STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZCS
Infineon Technologies
IRF3709ZCSTRL
Infineon Technologies
IRF3709ZCSTRR
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation