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Référence fabricant | IRF9952TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF9952TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF9952TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9952TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF9952TRPBF-FT |
PHN203,518
Nexperia USA Inc.
PHN210,118
NXP USA Inc.
PHN210T,118
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PHP225,118
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SI9936DY,518
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XC6SLX45-3FGG484I
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A3P600-2FG256
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