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Infineon Technologies IRF7779L2TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRF7779L2TRPBF
quantité disponible
75330 Pièces
Prix de référence
USD 2.164184
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF7779L2TRPBF.pdf
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IRF7779L2TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF7779L2TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRF7779L2TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF7779L2TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 375A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6660pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DIRECTFET L8
Paquet / caisse DirectFET™ Isometric L8
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7779L2TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF7779L2TRPBF-FT

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