maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IRF7752
Référence fabricant | IRF7752 |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7752 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7752 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 861pF @ 25V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7752 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7752-FT |
SI6968BEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
ALD1115MAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD111933MAL
Advanced Linear Devices Inc.
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IRF7530TRPBF
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XCS20XL-4PQ208C
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Microsemi Corporation
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