maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IRF7751
Référence fabricant | IRF7751 |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7751 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7751 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1464pF @ 25V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7751 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7751-FT |
SI6975DQ-T1-GE3
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SI6954ADQ-T1-E3
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SI6968BEDQ-T1-GE3
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XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
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Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN672I
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EP1S60B956C6N
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