maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF7422D2PBF
Référence fabricant | IRF7422D2PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF7422D2PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FETKY™ |
IRF7422D2PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 15V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7422D2PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7422D2PBF-FT |
IRF3717
Infineon Technologies
IRF3717PBF
Infineon Technologies
IRF3717TR
Infineon Technologies
IRF3717TRPBF
Infineon Technologies
IRF5803D2
Infineon Technologies
IRF5803D2PBF
Infineon Technologies
IRF5803D2TR
Infineon Technologies
IRF5803D2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6201PBF
Infineon Technologies
IRF6201TRPBF
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel