maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / IRF7342PBF
Référence fabricant | IRF7342PBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7342PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7342PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7342PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7342PBF-FT |
PHP225,118
Nexperia USA Inc.
SI9936DY,518
NXP USA Inc.
DN2625DK6-G
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LCMXO2-7000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FT256I
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XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
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