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Infineon Technologies IRF6892STRPBF

Name: IRF6892STRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6892STRPBF
Price: 0.604032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (789 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF6892STRPBF

quantité disponible: 24670 Pièces

Prix de référence: USD 0.604032

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N CH 25V 28A S3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF6892STRPBF.pdf

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IRF6892STRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF6892STRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF6892STRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF6892STRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	28A (Ta), 125A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2510pF @ 13V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET™ S3C
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric S3C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6892STRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF6892STRPBF-FT

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