maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPI100N12S305AKSA1
Référence fabricant | IPI100N12S305AKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPI100N12S305AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
IPI100N12S305AKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N12S305AKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI100N12S305AKSA1-FT |
IPC302N25N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302NE7N3X1SA1
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IPC50R045CPX1SA1
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IPC60N04S406ATMA1
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IPC60N04S4L06ATMA1
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A3PE600-2FGG484I
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
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EP20K60EQC208-1
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