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Infineon Technologies IRF6717MTR1PBF

Numéro de pièce MFG
IRF6717MTR1PBF
quantité disponible
18870 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF6717MTR1PBF.pdf
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IRF6717MTR1PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF6717MTR1PBF
Numéro de pièce future FT-IRF6717MTR1PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF6717MTR1PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 38A (Ta), 200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6750pF @ 13V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ MX
Paquet / caisse DirectFET™ Isometric MX
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6717MTR1PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF6717MTR1PBF-FT

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