maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFHM830TR2PBF
Référence fabricant | IRFHM830TR2PBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRFHM830TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFHM830TR2PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2155pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PQFN (3x3) |
Paquet / caisse | 8-VQFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM830TR2PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFHM830TR2PBF-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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