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Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF

Numéro de pièce MFG
IRFHM830TR2PBF
quantité disponible
99430 Pièces
Prix de référence
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFHM830TR2PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFHM830TR2PBF
Numéro de pièce future FT-IRFHM830TR2PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFHM830TR2PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2155pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PQFN (3x3)
Paquet / caisse 8-VQFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830TR2PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFHM830TR2PBF-FT

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