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Infineon Technologies IRF6668TR1

Name: IRF6668TR1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6668TR1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (609 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF6668TR1

quantité disponible: 99810 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF6668TR1.pdf

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IRF6668TR1 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF6668TR1
Numéro de pièce future	FT-IRF6668TR1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF6668TR1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET™ MZ
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric MZ
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6668TR1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF6668TR1-FT

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