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Infineon Technologies IRF6655TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRF6655TRPBF
quantité disponible
46850 Pièces
Prix de référence
USD 0.506664
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRF6655TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF6655TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRF6655TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF6655TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ SH
Paquet / caisse DirectFET™ Isometric SH
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6655TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF6655TRPBF-FT

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