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Infineon Technologies IRF6643TRPBF

Name: IRF6643TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6643TRPBF
Price: 0.75504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (689 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF6643TRPBF

quantité disponible: 54090 Pièces

Prix de référence: USD 0.75504

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF6643TRPBF.pdf

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IRF6643TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF6643TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF6643TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF6643TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.2A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2340pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET™ MZ
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric MZ
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6643TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF6643TRPBF-FT

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