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Infineon Technologies IRF6610TR1PBF

Numéro de pièce MFG
IRF6610TR1PBF
quantité disponible
30250 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF6610TR1PBF.pdf
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IRF6610TR1PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF6610TR1PBF
Numéro de pièce future FT-IRF6610TR1PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF6610TR1PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta), 66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DIRECTFET™ SQ
Paquet / caisse DirectFET™ Isometric SQ
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6610TR1PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF6610TR1PBF-FT

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