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Infineon Technologies IRF6603TR1

Name: IRF6603TR1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6603TR1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (242 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF6603TR1

quantité disponible: 63280 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF6603TR1.pdf

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IRF6603TR1 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF6603TR1
Numéro de pièce future	FT-IRF6603TR1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF6603TR1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	27A (Ta), 92A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 4.5V
Vgs (Max)	+20V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6590pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET™ MT
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric MT
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6603TR1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF6603TR1-FT

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