maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF630BTSTU_FP001
Référence fabricant | IRF630BTSTU_FP001 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF630BTSTU_FP001 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRF630BTSTU_FP001 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 72W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF630BTSTU_FP001 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF630BTSTU_FP001-FT |
FQP58N08
ON Semiconductor
FQP5N20
ON Semiconductor
FQP5N20L
ON Semiconductor
FQP5N30
ON Semiconductor
FQP5N40
ON Semiconductor
FQP5N50C
ON Semiconductor
FQP5N80
ON Semiconductor
FQP5N90
ON Semiconductor
FQP5P10
ON Semiconductor
FQP5P20
ON Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel