maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQP5N50C
Référence fabricant | FQP5N50C |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQP5N50C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQP5N50C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 73W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP5N50C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQP5N50C-FT |
FDP075N15A
ON Semiconductor
FDP083N15A
ON Semiconductor
FDP085N10A
ON Semiconductor
FDP10AN06A0
ON Semiconductor
FDP120AN15A0
ON Semiconductor
FDP13AN06A0
ON Semiconductor
FDP14AN06LA0
ON Semiconductor
FDP150N10A
ON Semiconductor
FDP15N50
ON Semiconductor
FDP15N65
ON Semiconductor
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel