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Infineon Technologies IRF40R207

Numéro de pièce MFG
IRF40R207
quantité disponible
41640 Pièces
Prix de référence
USD 0.315592
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF40R207.pdf
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IRF40R207 Caractéristiques

Référence fabricant IRF40R207
Numéro de pièce future FT-IRF40R207
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®, StrongIRFET™
IRF40R207 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF40R207 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF40R207-FT

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