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Infineon Technologies IRF3703PBF

Name: IRF3703PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3703PBF
Price: 2.648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (584 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF3703PBF

quantité disponible: 58370 Pièces

Prix de référence: USD 2.648

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF3703PBF.pdf

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IRF3703PBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF3703PBF
Numéro de pièce future	FT-IRF3703PBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF3703PBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	210A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	209nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8250pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 230W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3703PBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF3703PBF-FT

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