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Référence fabricant | IRF250P224 |
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Numéro de pièce future | FT-IRF250P224 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | StrongIRFET™ |
IRF250P224 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 96A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 58A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 203nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9915pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 313W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF250P224 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF250P224-FT |
SPI80N08S2-07R
Infineon Technologies
SPI80N10L
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SPD100N03S2L-04
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XC7A15T-2FTG256C
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EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
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AGL600V2-FG144I
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EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
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