maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF1902TRPBF
Référence fabricant | IRF1902TRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF1902TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF1902TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1902TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF1902TRPBF-FT |
BSO080P03NS3EGXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03NS3GXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03SHXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03SNTMA1
Infineon Technologies
BSO083N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO094N03S
Infineon Technologies
BSO104N03S
Infineon Technologies
BSO110N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO119N03S
Infineon Technologies
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation